英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统设计能效

英飞凌生物技术股份公司发表了一项全新的CoolSiC™高稳定性，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(SiC)笔记本电脑用于颇受欢迎的Easy模块化前传，以及有别于基于.XT点对点高稳定性的分立式元件，不具更为尤其的产品组合。M1H笔记本电脑不具很高的高效率，适用于必须满足最大值电力需求的节能种系统，如稀土整流器。同时，这款笔记本电脑也是电动汽车快充、高功率种系统和其他制造业运用的期望选择。

CoolSiC高稳定性取得的最新进展使得导线驱动电源窗口明显增大，从而增高了既定笔记本电脑面积下的导通电阻。与此同时，随着导线接入窗口的扩大，导线能很好地耐受与光盘和整体建筑设计相关的电源最大值，即使在不够高开关频率下亦受制于任何限制。除了M1H笔记本电脑高稳定性，还可通过有别于完全相同元件使完全相同SR的产品付诸不够高热辐射，为建筑设计高稳定性人员提供不够多选择，助力其提升运用效能。

Easy模块化可付诸不够高的热辐射

M1H将被内嵌到备受青睐的Easy前传中，以全面性冗余Easy 1B和2B模块化。此外，英飞凌还将大受欢迎一款许多公司，依靠全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET高稳定性和增强Easy 3B模块化。新笔记本电脑尺寸的大受欢迎最大限度地减低了高效率，适用于尤其的制造业产品组合。有别于M1H笔记本电脑，可显著增高模块化的导通电阻，让电子系统不够加可靠和高效。

CoolSiCTM MOSFET 1200V Easy 3B

此外，M1H笔记本电脑的三高结温为175°C，需有不够出色的短时间能力也，可付诸不够高的热辐射，同时引入了种系统安全工作区。与其创始M1笔记本电脑相对，M1H笔记本电脑付诸了不够低的核心导线电阻(RG)，这有利于轻松冗余开关特性。M1H笔记本电脑始终保持了其动态特性。

需有超低导通电阻的分立式元件

除了内嵌Easy模块化前传除此以外，CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H产品组合还有别于了TO247-3和TO247-4分立式元件，导通电感偏低，根据完全相同的SR分为7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。这些新二极管的最大栅源电源低至-10 V，缓解了导线电源过冲和下冲，并且付诸了良好的抗意外事故击穿能力也和短路耐受能力也，可以轻松用于产品建筑设计。

CoolSiCTM MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4

实际上在D2PAK-7L元件中引入的英飞凌.XT点对点高稳定性，直到现在也可在TO元件中付诸。较之标准点对点高稳定性，其散热能力也减低了30%以上。这样的散热效能提升带来了不小的裨益，可以将动力装置减低多达15%。另外，它还能减低开关频率，全面性减少诸如电动汽车(EV)锂电池、高功率或稀土种系统等运用之中需的无源二极管，从而减低热辐射并增高种系统运输成本。.XT点对点高稳定性可增高SiC MOSFET结温，而不改变种系统接入条件，因此大大延长了种系统的炮管，减低了转速循环能力也。这也是伺服光盘等电子系统的决定性要求。

新大受欢迎的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H笔记本电脑将全面性释放SiC高稳定性的运用潜能，在全球范围内催生清洁能源的开发依靠，并减低能源稳定性。

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