Nature子刊：原子尺度直接成像！晶界吸收不不间断攀移导致的位错

晶界（GBs）被认为是点毛病的有效渗入点，提高了胶合板的抗放射性能。然而，在粒子维度上晶界渗入和移去点毛病的基本上机制仍不正确。

在此，来自日本东京大学的Yuichi Ikuhara等学术界，利用粒子分辨追踪电镜试验研究了高能电子束强磁场下α-Al2O3里点毛病渗入的粒子机制。系统对性文章以新书“Direct imaging of the disconnection climb mediated point defects absorption by a grain boundary”发表在Nature Communications上。

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核能系统对里的胶合板，只能必需支撑高能电子、里子和离子的高剂量放射。强磁场作用下，胶合板导致了大量的自填隙和都只等点毛病，这些点毛病在胶合板里不断累积逐步形成了填隙团簇、堆垛露头四面体和扭曲。这些毛病会加剧胶合板变大、硬化、非晶化和脆化，就此加剧胶合板失效。有报道称，晶界可以帮助抵抗放射损伤。nm晶胶合板不所含大量的GBs，与单晶胶合板相比具有更好的抗放射性能。据断定，GBs可以作为点毛病的有效渗入点毛病，即渗入和移去点毛病。虽然这一观点已被广泛做，但在粒子维度上，这些点毛病是否其实被GBs移去以及GBs渗入点毛病后如何演化的基本上成因还远不正确。

到目前为止，人们对点毛病-GBs基本上粒子的粒子机制进行时了大量的研究。然而，这些研究大部份是基于理论计算，由于计算资源的限制，仅限于金属里的某些特定GBs。另一方面，高能离子源的透射电子显微镜(TEM)的最新发展，使得人们必需可实现捕捉到不含GBs胶合板在离子强磁场下的波动。然而，由于GB本体的复杂性，以及高灵敏度瞬变电磁法由此可知形解释的非直接性，难以在粒子维度上无论如何确定GB的本体细节。因此，在试验上还不正确强磁场下GBs与点毛病之间的基本上粒子。

在此，学术界利用粒子分辨追踪透射电子显微镜(STEM)试验断言，在α-Al2O3里，点毛病可以被在GB处接上的攀爬青年运动所渗入和移去。断路是GB里的一种线毛病，具有阶跃(阶跃高度h)和不稳定性(Burgers向量b)的不同之处。在高能电子束强磁场下，在GB附近逐步形成了一个接上对。对分离对逐步形成处理过程里所有Al粒子木柱进行时尾随，得出，分离对的逐步形成处理过程里，Al粒子木柱随之遗忘，表明GB渗入了都只。这种点毛病的渗入是介观维度上接上攀爬青年运动的结果。

由此可知1 电子束强磁场后，∑31 GB里出现了接上现象。

由此可知2 接上的逐步扫描。

由此可知3 接上得逐列扫描。

由此可知4 粒子接上逐步形成的二色模式的总结。

综上所述，学术界试验表明，在高能电子束强磁场下，α-Al2O3的∑31晶界附近逐步形成了一个接上对，并利用STEM技术逐木柱直接扫描了接上对的逐步形成处理过程。学术界断言了这种断连对的催化作用能处理过程涉及到攀移青年运动，攀移青年运动渗入和移去基质里的都只。这些观测结果，有效地人们对GB点毛病基本上粒子以及GB工程提高抗放射性能的成因有更了解的认识。同时，对断融为一体核能和青年运动的试验捕捉到也有效地认知GB声学的粒子机制，如GB迁移和GB滑动。

此外，学术界的试验方法利用了STEM的强磁场周围环境和粒子灵敏度本体举例来说能力的竞争者，可以大幅度阐明放射对粒子本体和性能的影响，如放射蠕变和放射诱导的GB偏析在各种胶合板里。（文：水生）

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