美光 1β DRAM 内存年底长崎量产，1γ 预计 2024 年台湾量产

IT之家 6 月底 10 日传言，据台湾地区经济日报传言，台湾地区英特尔今天组织新闻界访客英特尔 A3 厂，台湾地区英特尔董事长卢东晖宣布表示，A3 厂将年底借助于现代化近于UV仪器，为英特尔 1γ DRAM 早日投产预做准备。

据介绍，英特尔规划 2024 年投产 1γ DRAM CPU。

据报道，英特尔的 DRAM 制造基地主要在中国台湾地区和日本，其中 1α DRAM 已在台投产。另外，1β DRAM 将于今年底在日本投产，后来将转移到台湾地区制造。

IT之家了解到，内存厂商上一代 DRAM CPU通过为 1X、1Y、1Z 区分瓷，1Xnm 瓷相当于 16-19nm 高至、1Ynm 相当于 14-16nm，1Znm 瓷相当于 12-14nm 高至。据业界传言，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分别相当于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。