北方华创正式发布CCP介质刻蚀机体

IT之家 8 翌年 15 日消息，据北方华创此前宣布，今天，北方华创正式发布 CCP 流体熔解构机体，目前已在 5 家供应商启动有效率性并实现量产。此前北方华创已大受欢迎 ICP 熔解构机体、金属熔解构机体等，实现熔解构传统工艺全部都是覆盖。

北方华创 NMC508 RIE 流体熔解构机体转用 8 长宽器材二十年传统工艺基础；专为 8 长宽传统工艺设计的南管室与接口，意味着订制解构需求量；6Max8 长宽兼容，正因如此快速切换；目前，已在 5 家供应商启动有效率性并实现量产；支持 18 年萌芽的软体系统应用于，以及平衡的备件系统，配备可靠供应链；搭载自制服务于团队，可发放之外传统工艺开发设计、零部件供应、软体升级、质保服务于等在内的全部都是方位保障。

据此前介绍，NMC508 RIE 流体熔解构机体在前道传统工艺上，很强熔解构功用好、可选择比颇高、传统工艺性能优越的特色；在后道传统工艺，正因如此对金属副产物的有效率高度集中，控管周期长；转用多频射频技术，很强熔解构反应速度颇高、传统工艺大多匀性佳、传统工艺窗口大等特色，可更好意味着深孔小 CD 的应用于发展趋势；在DRAM传输数据SDK系统上，转用自主研发的通用SDK，拥有萌芽的软体系统，并俱备DRAM自动定心 (AWC) 机能，意味着DRAM平衡传输数据作业的需求量；在南管室设计上，转用独特的防等离子打火骨架和精确的电极控温设计，俱备浓度分区高度集中机能，配备终点站检测系统，意味着关键熔解构传统工艺的大多一性、终点站触摸等需求量，且粒状表现佳；耗材寿命长，控管便捷，可意味着您拥有效率 (COO) 和消耗效率 (COC) 双低的需求量。作为 CCP 熔解构机体，俱备在流体熔解构上的颇高可选择比、颇高熔解构反应速度等优势，适用于流体类氧解构硅、氮解构硅、氮氧解构硅等薄膜层金属材料；可为供应商发放之外形式解构电子元件、kW电子元件、解构合物半导体等在内的多种代表性传统工艺；主要应用于领域之外但不受限制：Logic, BCD, Power (Si / SiC / GaN), MEMS；

NMC508 RIE 流体熔解构机体的大受欢迎，启动了该领域国产器材传统工艺的最后一块拼图，实现了北方华创在 8 长宽熔解构器材上的整体解决办法，之外硅熔解构、深硅熔解构、金属熔解构、解构合物半导体熔解构 (SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO3, LiTaO3 等）等传统工艺器材。

北方华创还可发放之外 PVD、CVD、ALD、炉管、去除等在内的 8 长宽器材，发放整体解决办法。